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| Product Category: | IGBT Modules | |
| Manufacturer: | Infineon | |
| RoHS: | No | |
| Configuration: | Dual | |
| Collector- Emitter Voltage VCEO Max: | 1200 V | |
| Collector-Emitter Saturation Voltage: | 1.7 V | |
| Continuous Collector Current at 25 C: | 200 A | |
| Gate-Emitter Leakage Current: | 400 nA | |
| Pd - Power Dissipation: | 1.05 kW | |
| Package / Case: | IS5a ( 62 mm )-7 | |
| Maximum Operating Temperature: | 125 C | |
| Brand: | Infineon Technologies | |
| Height: | 30.9 mm | |
| Length: | 106.4 mm | |
| Maximum Gate Emitter Voltage: | /- 20 V | |
| Minimum Operating Temperature: | - 40 C | |
| Mounting Style: | Screw | |
| Factory Pack Quantity: | 10 | |
| Width: | 61.4 mm | |
| Part # Aliases: | FF200R12KE3HOSA1 |
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