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BSM50GX120DN2

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Descrição do Produto

Product Category:IGBT Modules
Manufacturer:Infineon
RoHS:RoHS Compliant Details 
Product:IGBT Silicon Modules
Configuration:3-Phase
Collector- Emitter Voltage VCEO Max:1200 V
Collector-Emitter Saturation Voltage:2.5 V
Continuous Collector Current at 25 C:78 A
Gate-Emitter Leakage Current:200 nA
Pd - Power Dissipation:400 W
Maximum Operating Temperature:150 C
Brand:Infineon Technologies 
Maximum Gate Emitter Voltage:20 V 
Minimum Operating Temperature:- 55 C 
Factory Pack Quantity:10