BSM35GD120DN2

Infineon Technologies

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Descrição do Produto

Product Category: IGBT Modules
Manufacturer: Infineon
RoHS: No  
Product: IGBT Silicon Modules
Configuration: Hex
Collector- Emitter Voltage VCEO Max: 1200 V
Collector-Emitter Saturation Voltage: 2.7 V
Continuous Collector Current at 25 C: 50 A
Gate-Emitter Leakage Current: 150 nA
Pd - Power Dissipation: 280 W
Package / Case: EconoPACK 2
Maximum Operating Temperature: 150 C
Brand: Infineon Technologies  
Height: 17 mm  
Length: 107.5 mm  
Maximum Gate Emitter Voltage: /- 20 V  
Minimum Operating Temperature: - 40 C  
Mounting Style: Screw  
Factory Pack Quantity: 10  
Width: 45.5 mm