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BSM200GB120DN2

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Descrição do Produto

Product Attributes 
CategoriesDiscrete Semiconductor Products
Transistors - IGBTs - Modules
ManufacturerInfineon Technologies
Series-
Part StatusNot For New Designs
IGBT Type-
ConfigurationHalf Bridge
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)1200V
Current - Collector (Ic) (Max)290A
Power - Max1400W
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic3V @ 15V, 200A
Current - Collector Cutoff (Max)4mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce13nF @ 25V
InputStandard
NTC ThermistorNo
Operating Temperature150°C (TJ)
Mounting TypeChassis Mount
Package / CaseModule
Supplier Device PackageModule