IPP320N20N3G

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Descrição do Produto

Product Attributes 
CategoriesDiscrete Semiconductor Products
Transistors - FETs, MOSFETs - Single
ManufacturerInfineon Technologies
SeriesOptiMOS™
Packaging Tube 
Part StatusActive
FET TypeN-Channel
TechnologyMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)200V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C34A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 90µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs29nC @ 10V
Vgs (Max)±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds2350pF @ 100V
FET Feature-
Power Dissipation (Max)136W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs32 mOhm @ 34A, 10V
Operating Temperature-55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting TypeThrough Hole
Supplier Device PackagePG-TO-220-3
Package / CaseTO-220-3