IRG7PH35UD

Infineon Technologies

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Descrição do Produto

Product Category:IGBT Transistors
Manufacturer:Infineon
RoHS:RoHS Compliant Details 
Technology:Si
Package / Case:TO-247-3
Mounting Style:Through Hole
Configuration:Single
Collector- Emitter Voltage VCEO Max:1.2 kV
Collector-Emitter Saturation Voltage:1.9 V
Maximum Gate Emitter Voltage: /- 30 V
Continuous Collector Current at 25 C:50 A
Pd - Power Dissipation:180 W
Minimum Operating Temperature:- 55 C
Maximum Operating Temperature: 150 C
Packaging:Tube
Brand:Infineon Technologies 
Continuous Collector Current Ic Max:50 A 
Gate-Emitter Leakage Current:100 nA 
Factory Pack Quantity:25 
Unit Weight:38 g