Fabricante: Toshiba

Categoria de produto: MOSFET

RoHS:

Tecnologia: Si

Estilo de montagem: Through Hole

Caixa / Gabinete: TO-220FP-3

Número de canais: 1 Channel

Polaridade do transistor: N-Channel

Vds - Tensão de ruptura entre drenagem e fonte: 600 V

Id - Corrente de drenagem contínua: 13 A

Rds On - Fonte de drenagem na resistência: 430 mOhms

Tensão de limite porta e fonte: 4 V

Vgs - Voltagem de porta e fonte: 30 V

Qg - Carga na porta: 62 nC

Temperatura operacional mínima: - 55 C

Temperatura operacional máxima:  150 C

Configuração: Single

Pd - Dissipação de potência: 50 W

Modo de canal: Enhancement

Altura: 15 mm

Comprimento: 10 mm

Série: 2SK3797

Tipo de transistor: 1 N-Channel

Tipo: Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type

Largura: 4.5 mm

Marca: Toshiba

Tempo de queda: 215 ns

Tempo de ascensão: 110 ns

Quantidade do pacote de fábrica: 50

Tempo de retardo de desligamento típico: 50 ns

Tempo típico de ativação/retardo : 60 ns

Peso unitário: 6 g